Indiumphosphid

Indiumphosphid Beschreibung

Indiumphosphid (InP) ist ein binärer Halbleiter, der aus Indium und Phosphor besteht. Es hat eine flächenzentrierte kubische ("Zinkblende") Kristallstruktur, die mit der von GaAs und den meisten III-V-Halbleitern identisch ist.

InP kann aus der Reaktion von weißem Phosphor und Indiumiodid bei 400 °C hergestellt werden, auch durch direkte Kombination der gereinigten Elemente bei hoher Temperatur und hohem Druck oder durch thermische Zersetzung einer Mischung aus einer Trialkylindiumverbindung und Phosphin.

InP wird in der Hochleistungs- und Hochfrequenzelektronik wegen seiner überlegenen Elektronengeschwindigkeit im Vergleich zu den gebräuchlicheren Halbleitern Silizium und Galliumarsenid eingesetzt. Es hat eine direkte Bandlücke, was es für optoelektronische Geräte wie Laserdioden nützlich macht. InP wird auch als Substrat für optoelektronische Bauelemente auf Basis von epitaktischem Indiumgalliumarsenid verwendet.

Indiumphosphid-Anwendungen und verwandte Industrien

● Optoelektronische Komponenten

● Hochgeschwindigkeitselektronik

● Photovoltaik

● Keramik

● Solarenergie

● Forschung & Labor

Chemische Identifikatoren

Eigenschaften von Indiumphosphid (theoretisch)

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